技术指标：
分辨率：1.0nm（高真空模式）
1.2nm（低真空可变压力模式）
最大放大倍数：90万倍
加速电压：0.1KV~30KV
束流：4pA~10nA
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设备特点 ：
·热场发射电子枪，既可获得高分辨率，又可进行 EBSD晶体学取向成像分析。
·独特的镜筒设计和镜筒内环状探测器，得到大景深、高分辨率的图象。
·具有低真空模式，可直接观测绝缘样品。
·配备预抽样品室保证电子光学系统的高真空。
·配置： X射线能谱仪/电子背散射衍射分析系统。
功能 ：二次电子像，背散射电子像， X射线能谱分析，电子背散射衍射分析。
用途 ：各种固体材料（包括绝缘材料）表面形貌，微区成分分析和晶体学分析。
广泛应用于材料科学、电子工业、生命科学、地质矿产等领域。
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铬铁矿
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计算机电路板 |
